磷化铟相关论文
对场助光电阴极的发展进行回顾，介绍了场助光电阴极的工作原理，系统总结了三种具有代表性的阴极结构，分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InG......
量子点发光二极管（quantum dot light-emitting diode,QLED）由于其色纯度高、发光峰可调、可溶液加工等优点被认为是下一代理想的显......
本文介绍了一种用于磷化铟（InP）器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备。通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影......
随着信息技术的发展,模数转换器（ADC）的应用日益广泛。而在诸如雷达、超宽带通信系统、高性能数字示波器等产品中,模数转换器的速度......
离子注入作为一种独特的材料改性技术手段被广泛应用于当今的工业生产和科学研究领域,根据各种不同目的所进行的元素掺杂和注入处......
磷化铟（InP）是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,具有很多的优越特性,是制备半导体器件的衬底材料,在光源、光纤通信、高速大型计算机等领域得......
为实现磷化铟高质量表面的绿色加工,使用动态磁场集群磁流变抛光对单晶磷化铟进行正交抛光实验,研究各工艺参数(抛光盘转速、工件......
提出以单缺陷双边带非线性载流子输运方程描述InP∶Fe中光折变动态光栅的写入过程,通过微扰法将非线性方程线性化,从而求得小调制......
磷化铟(InP)具备电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温、耐辐射等特性,是制备空间辐射环境下电子器件的重要材料.随着电子器件小型化,......
<正> 目前市场应用的最主要的半导体材料是单晶硅,约占IC电路的95％。但据理论分析硅集成电路线宽的极限尺寸是0.035-0.05rum,无法满......
英国的研究人员研制出了目前波长最短的室温量子级联激光器(QCL)。该仪器基于应力补偿InGaAs/AlAsSb系统,波长仅为3.1μm,输出功率......
由于半导体微环激光器(SML)具有波长转换、可调谐和光学双稳态等特点,因此成为全光逻辑和全光存储领域的研究热点。在分析背散射耦......
光子集成作为未来全光网络发展的必然趋势,是实现高速光通信的重要解决方案。正如硅基集成电路的发展历程一样,找到一种类似晶体管......
在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无......
化合物半导体是区别于硅(Si)和锗(Ge)等传统单质的一类半导体材料,主要包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)......
量子点这一概念被确立已有几十年历史了,在元素选择及制备方法上创新点层出不穷。前人对制备方法的探究上,已经进行了许多尝试,本......
本论文主要针对In P基相关半导体光电器件尤其是Ti W/p-In P肖特基器件和In P/In Ga As/In P PIN光电探测器的C-V特性进行了较为深......
本文主要研究了外界干扰对磷化铟多孔层的影响,利用电子束曝光技术辅助电化学刻蚀技术和激光干涉技术辅助电化学刻蚀技术,分别制备......
磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有诸多优异特性,作为衬底材料广泛应用于光电子与微电子领域。熔体组分配比度能......
近年来,InP材料已成为半导体领域的热点研究之一。本论文着重探讨了如下三个重要的InP基半导体光电器件:（1）高内部增益、良好频率特......
磷化铟作为新型化合物半导体材料,已在国内外引起广泛重视。它在微波和光电器件中都能应用,尤其是用它作衬底来生长GaInAsP异质结......
本文叙述了液相外延的简单理论及其生长工艺.稳态生长和瞬态生长中的三种冷却技术都是以生长速率取决于溶质向界面的扩散快慢为依......
磷化铟(InP)作为重要的第二代半导体材料,禁带宽度大,电子漂移速度快,抗辐照性能比Si,GaAs好,可作为制备空间飞行器上电学器件的备......
为提高晶圆的集成度,提升晶粒分离的质量和效率,采用以二极管泵浦的纳秒级调Q紫外激光切割磷化铟晶圆,利用劈裂机进行裂片,使用金......
基于微环谐振器的光通信器件理论模型研究一般采用线性传播因素的模型,没有考虑到非线性光学效应的影响.文章针对3×3通道微环谐振......
实现了一款高性能超宽带低相噪可编程分频器芯片,内部分频模块采用电流模式逻辑结构的数字分频原理实现.芯片采用三路外部信号对内......
随着磷化铟单晶材料在民用及军用领域的广泛应用,磷化铟单晶的制备也变得越来越重要,尤其是大尺寸高纯度磷化铟单晶的制备更能受到......
学位
微机电系统(MEMS)自上个世纪80年代诞生以来,就不断的推动着制造技术向微型化发展。其中利用电化学方法进行微纳米尺度的加工方法,......
由于半导体纳米材料具有各种量子效应和独特性质，因此在未来的各种光、电、机械等功能器件中有广阔的应用前景。磷化钳(InP)是一种......
本课题采用溶剂热法，成功合成了一系列的磷化铟/还原氧化石墨烯复合材料，通过条件实验控制合成不同形貌的复合材料，并对不同的复合材......
最近,半导体基磁电阻器件的研究由于其在电子工业一体化中有着长远的应用前景和学术意义而倍受人们的关注。本文主要研究了关于硅......
InP以其众多的优越特性而在许多高技术领域有着广泛的应用。掺硫的N型InP材料主要应用于激光器、发光二极管、光放大器、光纤通信......
本论文主要对磷化铁(FeP)气氛和磷(P)气氛下退火得到的InP材料经电子辐照前后的电学参数和缺陷变化进行了研究。与辐照前相比，辐照......
磷化铟(Indium Phosphide，InP)是Ⅲ-Ⅴ族二元半导体材料的典型代表。是现如今探讨的热门半导体材料之一。室温条件下，具有较大的载流......
对同一原生非掺杂InP单晶进行了一系列物理测试分析,研究了材料的光电导率与温度的依从关系,在295~318 K内,温度系数为-3×10-4eV/......
蓝光LED的诞生 LED最早起源于1961年，美国德州仪器公司发展以磷化铟镓材料合成的LED，其放光波长范围为近红外线。1962年，奇异公司......
是德科技公司宣布推出InfiniiumV系列示波器,将原本用在63GHz带宽的磷化铟半导体工艺应用到8GHz带宽,全面更新了其8GHz～33GHz带宽的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
铟(Indium),化学符号:In,是银白色并略带淡蓝色的金属。铟的质地非常软,能用指甲刻痕,且具有延展性,可压成片。铟有微弱的放射性,......
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作......
研制了一种 T 型栅长为90 nm 的 InP 基 In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25 ......
